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產(chǎn)品資料
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半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置

產(chǎn)品名稱: 半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置
產(chǎn)品型號: SiWOF-2000
產(chǎn)品特點(diǎn): 半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置
日本 STLab SiWOF-2000 是一臺面向“7×24 小時連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)"而設(shè)計(jì)的無氧氣體(N?/Ar/He 等)深度除水凈化裝置。把入口 3-10 ppm H?O 的普氮/普氬一口氣降到**< 1 ppb**(露點(diǎn) <-110 °C),并且能連續(xù)運(yùn)行 2 000 h 以上才需再生,主要用于半導(dǎo)體、OLED、鈣鈦礦電池、核聚變實(shí)驗(yàn)等對水分極度敏感的工藝

半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置 的詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置

半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置

日本 STLab SiWOF-2000 是一臺面向“7×24 小時連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)"而設(shè)計(jì)的無氧氣體(N?/Ar/He 等)深度除水凈化裝置。把入口 3-10 ppm H?O 的普氮/普氬一口氣降到**< 1 ppb**(露點(diǎn) <-110 °C),并且能連續(xù)運(yùn)行 2 000 h 以上才需再生,主要用于半導(dǎo)體、OLED、鈣鈦礦電池、核聚變實(shí)驗(yàn)等對水分極度敏感的工藝線。

? 核心賣點(diǎn)

  • 長期免維護(hù)——連續(xù)除水 2 000 h(實(shí)際考核 2 500 h)后 H?O 出口才升到 10 ppb,停機(jī)再生一次只需 8 h
  • < 1 ppb 出口保證——新填料初始值 ≤ 0.5 ppb,客戶可任選 1 ppb 報(bào)警點(diǎn)
  • 真正無氧——整個流路 316L EP + VCR 金屬密封,無橡膠管,O? 增量 < 0.1 ppb
  • 雙塔 Hot-Swap——一塔工作一塔待機(jī),切換過程出口水分波動 < 5 ppb
  • 在線再生——無需拆罐,閉環(huán)抽真空 + 加熱吹掃,現(xiàn)場 8 h 完成
  • 數(shù)據(jù)完整——內(nèi)置 32 GB 記錄,Modbus/以太網(wǎng)實(shí)時輸出,滿足 SEMI S2 審計(jì)

?? 性能參數(shù)(SiWOF-2000 標(biāo)準(zhǔn)型)

表格
復(fù)制
項(xiàng)目參數(shù)
處理氣體N?、Ar、He、混合稀有氣體(無氧)
流量范圍30-2 000 mL/min(1.8-120 L/h)
入口水分≤ 10 ppm(露點(diǎn) -60 °C)
出口水分≤ 1 ppb(露點(diǎn) <-110 °C)
出口氧分增加 < 0.1 ppb(實(shí)測 0.03 ppb)
連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)≥ 2 000 h(10 ppb 突破為再生信號)
再生耗時8 h(200 °C 真空抽掃 + 高純 N? 冷卻)
吸附劑 Si-Al 復(fù)合分子篩 + 金屬催化劑
管路材質(zhì)316L EP,Ra ≤ 0.25 µm,VCR 金屬墊片
泄漏率He ≤ 1×10?11 Pa·m3/s
壓力損失0.05-0.15 MPa(與流量相關(guān))
電源AC 100-240 V 300 W(再生時 600 W)
尺寸/重量430 × 450 × 220 mm(4U 機(jī)架)≈28 kg
通信RS-485(Modbus RTU)+ 以太網(wǎng)(TCP/HTTP)
數(shù)據(jù)存儲32 GB SD 卡,CSV 格式,≥ 5 年
報(bào)警出口 H?O > 1 ppb、溫度異常、壓力異常繼電器輸出

?? 雙塔工作流程

  1. A 塔工作——B 塔待機(jī)加熱抽空(前 6 h)→ 高純 N? 冷卻(后 2 h)
  2. 自動切換——當(dāng) A 塔出口 H?O = 10 ppb,PLC 0.1 s 切到 B 塔,出口波動 < 5 ppb
  3. 循環(huán)使用——單塔壽命 2 000 h,兩塔交替實(shí)現(xiàn)理論無限連續(xù)

?? 典型應(yīng)用

  • 半導(dǎo)體 ALD/ALE: gate 氧化物界面 H?O < 1 ppb,降低 VT 漂移
  • OLED 蒸鍍:防止有機(jī)層水解,提高發(fā)光效率 8 %
  • 鈣鈦礦太陽能電池:涂布前 N? 凈化,效率重復(fù)性 ↑ 15 %
  • 核聚變裝置:托卡馬克吹掃氣 Ar 深度除水,降低等離子體雜質(zhì)
  • 手套箱循環(huán):與循環(huán)泵聯(lián)動,箱內(nèi) H?O 穩(wěn)定 < 0.1 ppm

?? 可選型號

表格
復(fù)制
型號流量范圍出口水分接口
SiWOF-5005-500 mL/min≤ 1 ppb1/4" VCR
SiWOF-200030-2 000 mL/min≤ 1 ppb1/4" VCR
SiWOF-50000.2-5 L/min≤ 3 ppb3/8" VCR
SiWOF-Multi雙通道獨(dú)立,可同時供兩臺設(shè)備


??? 維護(hù)與驗(yàn)證

  • 在線露點(diǎn)儀:內(nèi)置 TDLAS 傳感器,0.1 ppb 分辨率,可外接第二方冷鏡儀比對
  • 再生無需人工:PLC 自動抽真空→升溫→吹掃→冷卻,一鍵啟動
  • 年度備件:僅需更換再生排氣過濾器(PTFE,0.1 µm),5 分鐘完成
  • 審計(jì)文件:提供 SPC 趨勢、再生記錄、粒子增量報(bào)告,符合 SEMI F57 & Gaseous Standards

? 一句話總結(jié)

STLab SiWOF-2000 是“長期不斷電"的**< 1 ppb 除水站**:2 000 h 連續(xù)運(yùn)行、8 h 在線再生、雙塔零波動,為半導(dǎo)體/OLED/核聚變等無氧超干工藝提供水分 < 1 ppb、氧增量 < 0.1 ppb7×24 凈化氮/氬,是日本本土 7 nm 廠、EUV 實(shí)驗(yàn)室的標(biāo)準(zhǔn)超干氣源后端。



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